第一届材料与器件辐射效应物理机制国际学术研讨会通知

为充分展示国际上材料与器件辐射效应、离子束诱导材料改性、分析和表征等相关研究领域的最新研究进展,深入讨论和交流该领域的前沿方向、关键技术和热点问题,由哈尔滨工业大学主办的“第一届材料与器件辐射效应物理机制国际学术研讨会”定于2020年1月13日至14日在哈尔滨举办,会议的主题范围从基础辐射材料科学到工业应用,欢迎广大师生参加本次会议。

一、会议组织

主办单位:哈尔滨工业大学

承办单位:空间环境与物质科学研究院

项目支撑:空间环境与物质作用学科创新引智基地

二、时间地点

1) 注册时间:1月12日

2) 会议时间:1月13日-14日

3) 会议地点:哈尔滨工业大学逸夫楼205报告厅

三、会议主题

  1. 半导体器件的辐射效应
  2. 辐射缺陷导致的材料改性
  3. 聚焦离子束,离子光刻
  4. 团簇离子、单离子、快速重离子、高电荷离子
  5. 半导体、金属和陶瓷的离子束改性
  6. 应用离子束制备电学、磁性和光学材料
  7. 离子驱动自组织,纳米化
  8. 等离子体诱导改性
  9. 纳米结构的合成和修饰
  10. 核材料的辐照效应
  11. 聚合物和生物材料的辐射改性

四、会议安排

2020年1月12日 9:00-21:00会议注册

2020年1月13日

09:00-09:30:开幕式

09:30-12:00:主旨报告

14:00-18:00:特邀报告

2020年1月14日

09:00-12:00:主旨报告

14:00-17:30:特邀报告

17:30-18:00:闭幕式

五、注册报名

会议费用:本次会议不收注册费,食宿费自理,参会请联系会务联系人。

六、会务联系人

刘超铭:15636058860(微信同号)

王天琦:13796163141

马国亮:18045044907

 

国际专家名单

序号

姓名

工作单位

国别

备注

1

Reinhold Shuch

瑞典斯德哥尔摩大学

德国

瑞典皇家科学院院士

2

Christina Trautmann

德国GSI

德国

教授,世界知名材料学家

3

Eugenia Toimil-Molares

德国GSI

德国

永久职位科学家

4

H. Schneider

德国 HZDR

德国

研究员,部长

5

Kai Nordlund

赫尔辛基大学

芬兰

教授

6

Eduardo Alves

里斯本大学

葡萄牙

教授

7

Elke Wendler

耶拿大学

德国

研究员

8

J. Bollmann

德国弗莱贝格工业大学

德国

教授

9

S.Zhou(周生强)

德国亥姆霍兹联合会罗森多夫研究中心

德国

研究员,主任

10

Takeshi Ohshima

国立量子与辐射科学技术研究所

日本

主任

11

Hiroshi Amekura

日本国立物质材料研究机构

日本

主席研究员

12

Flyura Djurabekova

赫尔辛基大学物理学院 极端环境材料研究所所长

芬兰

教授

 

 

Radiation Effects of Materials and Devices (REMD-2020)

Workshop Schedule

January 12, 2020 (Sunday)

9:00~18:00

Registration and Accommodation

18:00~20:00

Welcome Reception Dinner

January 13, 2020 (Monday)

9:00~9:30

Opening Ceremony

9:30~10:00

Keynote: Overview of SESRI

10:00~10:30

Coffee Break

10:30~11:00

Reinhold SchuchNeutralization of slow multiply charged ions at surfaces

11:00~11:30

Christina Trautmann: Material science with MeV-GeV ions

11:30~12:00

Harald SchneiderIon-implanted Ge photoconductive antennae for terahertz emission

12:00~14:00

Lunch (Buffet)

14:00~14:30

Eduardo AlvesIon beam studies of plasma wall interactions on fusion devices

14:30~15:00

Kai NordlundEffect of crystal orientation on sputtering analyzed over all crystal directions: experiments and simulations

15:00~15:30

Shengqiang ZhouIon implantation + sub-second annealing: a route towards hyperdoped semiconductors

15:30-16:00

Coffee Break

16:00-16:30

Flyura Djurabekova: Swift heavy ion effects in low-dimensional materials

16:30-17:00

M.E. Toimil-Molares: Ion-track nanotechnology: nanostructures produced with GeV heavy ions

17:00~19:00

Dinner (Buffet)

January 14, 2020 (Tuesday)

9:00~9:30

Elke WendlerQuasi in-situ low-temperature ion implantation and RBS defect analysis: Applications for studying primary effects of damage formation in covalent-ionic materials

9:30~10:00

Takeshi OhshimaRadiation response of silicon carbide devices toward space and nuclear applications

10:00~10:30

Coffee Break

10:30~11:00

Joachim BollmannAdmittance Spectroscopy or DLTS? - a contrasting juxtaposition

11:00~11:30

Xin OuUniversal Ion-Cut for hetero-integration and nano-patterning of Semiconductors

11:30~12:00

Hsusheng Tsai: Synthesis of 2D materials via plasma and/or ion implantation-assisted process

12:00~14:00

Lunch (Buffet)

14:00~14:30

Xiaogang Wang: Introduction to Space Plasma Environment Research Facility

14:30~15:00

Hiro AmekuraShape elongation of embedded nanoparticles induced by MeV C60 irradiation

15:00~15:30

Hongqiang Zhang: Guiding and shaping ion beams through the nanocapillaries

15:30-16:00

Coffee Break

16:00-16:30

Feng Ren: Enhanced radiation tolerance of nanochannel materials

16:30~17:00

Jie Liu:Irradiation effects of materials in devices by swift heavy ions

17:00-17:30

Closing Ceremony

17:30~19:00

Dinner (Buffet)

January 15, 2020 (Wednesday)

9:30~17:30

Academic Visiting

 

 

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