为充分展示国际上材料与器件辐射效应、离子束诱导材料改性、分析和表征等相关研究领域的最新研究进展，深入讨论和交流该领域的前沿方向、关键技术和热点问题，由哈尔滨工业大学主办的“第一届材料与器件辐射效应物理机制国际学术研讨会”定于2020年1月13日至14日在哈尔滨举办，会议的主题范围从基础辐射材料科学到工业应用，欢迎广大师生参加本次会议。
一、会议组织
主办单位：哈尔滨工业大学
承办单位：空间环境与物质科学研究院
项目支撑：空间环境与物质作用学科创新引智基地
二、时间地点
1) 注册时间：1月12日
2) 会议时间：1月13日-14日
3) 会议地点：哈尔滨工业大学逸夫楼205报告厅
三、会议主题
- 半导体器件的辐射效应
- 辐射缺陷导致的材料改性
- 聚焦离子束，离子光刻
- 团簇离子、单离子、快速重离子、高电荷离子
- 半导体、金属和陶瓷的离子束改性
- 应用离子束制备电学、磁性和光学材料
- 离子驱动自组织，纳米化
- 等离子体诱导改性
- 纳米结构的合成和修饰
- 核材料的辐照效应
- 聚合物和生物材料的辐射改性
四、会议安排
2020年1月12日 9:00-21:00会议注册
2020年1月13日
09:00-09:30：开幕式
09:30-12:00：主旨报告
14:00-18:00：特邀报告
2020年1月14日
09:00-12:00：主旨报告
14:00-17:30：特邀报告
17:30-18:00：闭幕式
五、注册报名
会议费用：本次会议不收注册费，食宿费自理，参会请联系会务联系人。
六、会务联系人
刘超铭：15636058860（微信同号）
王天琦：13796163141
马国亮：18045044907
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国际专家名单 |
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姓名 |
工作单位 |
国别 |
备注 |
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1 |
Reinhold Shuch |
瑞典斯德哥尔摩大学 |
德国 |
瑞典皇家科学院院士 |
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2 |
Christina Trautmann |
德国GSI |
德国 |
教授，世界知名材料学家 |
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3 |
Eugenia Toimil-Molares |
德国GSI |
德国 |
永久职位科学家 |
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4 |
H. Schneider |
德国 HZDR |
德国 |
研究员，部长 |
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5 |
Kai Nordlund |
赫尔辛基大学 |
芬兰 |
教授 |
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6 |
Eduardo Alves |
里斯本大学 |
葡萄牙 |
教授 |
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7 |
Elke Wendler |
耶拿大学 |
德国 |
研究员 |
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8 |
J. Bollmann |
德国弗莱贝格工业大学 |
德国 |
教授 |
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9 |
S.Zhou（周生强） |
德国亥姆霍兹联合会罗森多夫研究中心 |
德国 |
研究员，主任 |
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10 |
Takeshi Ohshima |
国立量子与辐射科学技术研究所 |
日本 |
主任 |
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11 |
Hiroshi Amekura |
日本国立物质材料研究机构 |
日本 |
主席研究员 |
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12 |
Flyura Djurabekova |
赫尔辛基大学物理学院 极端环境材料研究所所长 |
芬兰 |
教授 |
Radiation Effects of Materials and Devices (REMD-2020)
Workshop Schedule
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January 12, 2020 (Sunday) |
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9:00~18:00 |
Registration and Accommodation |
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18:00~20:00 |
Welcome Reception Dinner |
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January 13, 2020 (Monday) |
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9:00~9:30 |
Opening Ceremony |
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9:30~10:00 |
Keynote: Overview of SESRI |
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10:00~10:30 |
Coffee Break |
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10:30~11:00 |
Reinhold Schuch：Neutralization of slow multiply charged ions at surfaces |
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11:00~11:30 |
Christina Trautmann: Material science with MeV-GeV ions |
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11:30~12:00 |
Harald Schneider：Ion-implanted Ge photoconductive antennae for terahertz emission |
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12:00~14:00 |
Lunch (Buffet) |
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14:00~14:30 |
Eduardo Alves：Ion beam studies of plasma wall interactions on fusion devices |
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14:30~15:00 |
Kai Nordlund：Effect of crystal orientation on sputtering analyzed over all crystal directions: experiments and simulations |
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15:00~15:30 |
Shengqiang Zhou：Ion implantation + sub-second annealing: a route towards hyperdoped semiconductors |
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15:30-16:00 |
Coffee Break |
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16:00-16:30 |
Flyura Djurabekova: Swift heavy ion effects in low-dimensional materials |
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16:30-17:00 |
M.E. Toimil-Molares: Ion-track nanotechnology: nanostructures produced with GeV heavy ions |
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17:00~19:00 |
Dinner (Buffet) |
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January 14, 2020 (Tuesday) |
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9:00~9:30 |
Elke Wendler：Quasi in-situ low-temperature ion implantation and RBS defect analysis: Applications for studying primary effects of damage formation in covalent-ionic materials |
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9:30~10:00 |
Takeshi Ohshima：Radiation response of silicon carbide devices toward space and nuclear applications |
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10:00~10:30 |
Coffee Break |
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10:30~11:00 |
Joachim Bollmann：Admittance Spectroscopy or DLTS? - a contrasting juxtaposition |
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11:00~11:30 |
Xin Ou：Universal Ion-Cut for hetero-integration and nano-patterning of Semiconductors |
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11:30~12:00 |
Hsusheng Tsai: Synthesis of 2D materials via plasma and/or ion implantation-assisted process |
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12:00~14:00 |
Lunch (Buffet) |
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14:00~14:30 |
Xiaogang Wang: Introduction to Space Plasma Environment Research Facility |
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14:30~15:00 |
Hiro Amekura：Shape elongation of embedded nanoparticles induced by MeV C60 irradiation |
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15:00~15:30 |
Hongqiang Zhang: Guiding and shaping ion beams through the nanocapillaries |
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15:30-16:00 |
Coffee Break |
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16:00-16:30 |
Feng Ren: Enhanced radiation tolerance of nanochannel materials |
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16:30~17:00 |
Jie Liu:Irradiation effects of materials in devices by swift heavy ions |
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17:00-17:30 |
Closing Ceremony |
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17:30~19:00 |
Dinner (Buffet) |
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January 15, 2020 (Wednesday) |
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9:30~17:30 |
Academic Visiting |
