洪子健
浙江大学材料学院 研究员
斯格明子是一类具有拓扑保护性（拓扑电荷为±1）的准粒子，近年来在凝聚态物理领域获得广泛关注。在铁磁材料中，斯格明子的形成通常需要借助D-M相互作用。而在低维铁电材料中，最近发现通过引入弹性能、电能和尺度效应的相互竞争，可以形成稳定的铁电斯格明子。然而，铁电斯格明子在外场作用下的动力学过程尚不明晰。相场模拟是一种介观尺度的模拟方法，被广泛应用于预测铁电畴结构及其在外场作用下的响应。报告通过相场模拟预测铁电斯格明子拓扑相变的一些最新进展，特别是它在力、电等外场耦合作用下的拓扑变换与操控。研究表明，在不同外场的作用下，铁电斯格明子展现出了截然不同的翻转路径，并生成了许多奇异的新型拓扑相（后斯格明子）。这些研究展现了铁电拓扑学丰富的物理内涵，并为铁电斯格明子等拓扑相的未来器件应用奠定了基础。
洪子健研究员个人简介
洪子健博士2010年本科毕业于浙江大学材料系，2012年硕士毕业于清华大学材料系，导师为唐子龙教授。2017年博士毕业于美国宾州州立大学，导师为陈龙庆教授。2020年8月起任职于浙江大学材料学院，受聘为“百人计划”研究员。2020年入选国家海外青年人才项目。主要从事计算材料学方面的研究，具体研究领域包括相场模拟、第一性原理计算、机器学习等，具体应用方向为金属基电池和铁电、压电材料等的设计。迄今为止发表论文40余篇，引用2000余次。其中主要作者文章包括3篇Nature, 3篇Nature Materials, 1篇Matter等。受邀到多个美国高校和国内会议做邀请报告，包括加州大学伯克利分校、马里兰大学材料系和纽约州立大学布法罗分校机械工程系等以及第十八届电介质会议和材料大会等。
报告人：洪子健
报告时间：2022.11.24 周四18:00
地点：腾讯会议 353-391-826，会议密码 221124
