以色列理工大学摩西.艾森伯格教授来校讲学

2018-03-12 08:30
受我校国际合作与交流基金项目资助,应大科学工程指挥部及空间基础科学研究中心(材料科学与工程学院空间材料实验室)吴宜勇教授邀请,以色列理工大学摩西.艾森伯格(Moshe Eizenberg)教授来我校访问,并做学术报告.
摩西.艾森伯格教授现为以色列理工大学教授,以色列理工大学摩西.艾森伯格教授是国际电子材料及纳米器件领域的著名专家,在新型电子材料、纳米器件及计算机芯片制造领域有广泛的研究和很深的造诣,长期与Intel、Applied Materials、IBM等顶级电子产品公司开展电子材料与器件制造技术的研究合作,取得了突出的成绩。2002~2008年为以色列理工大学科研副校长,现为广东-以色列理工国际大学材料科学部负责人。报告由吴宜勇教授主持。摩西.艾森伯格教授在“Tuning the work-function of metal-oxide-Si devices”报告中,详细介绍了在电子元器件的微型化过程中,为适应电子器件的高频、快速控制与功能化的要求,MOS结构中high-k氧化物的使用和调整,同时多晶硅gate已不能满足新的要求,因此需要使用新的金属gate材料,这就需要根据NMOS、PMOS要求使用心得Gate层,调整其功函数并满足和保证其与high-k氧化物的界面稳定性,防止gate金属层与氧化物层的互扩散与反应。教授针对金属栅电极的选材、结构表征、稳定性及其对微纳器件可靠性进行了系统全面的分析。这些研究成果与分析,对于从90nm、60nm、45nm以致20nm器件的选材、结构设计、工艺优化与可靠性分析起到了重要的理论支撑作用。基于该报告的内容,Eizenberg教授还回答了与会老师同学的问题,对于新型MOS结构及其材料的辐射环境下的稳定性提出了自己的见解。
教授的第二个报告“Studies of MOS structures based on high mobility semiconductors”,主要是针对下一代半导体器件(主要是GaAs或III-V半导体器件)发展中存在的问题和发展需求进行分析。下一代集成电路或电子器件的制造中,GaAs材料以其高的载流子速度、直接带隙结构以及更合适的禁带宽度等优点,而成为下一代重要的半导体材料。但是,GaAs半导体的工艺中MOS结构的氧化物与半导体之间的界面态、界面缺陷及界面稳定性是重要的瓶颈。Eizenberg教授针对这一问题讲述了解决新一代半导体器件的MOS界面问题、氧化物材料的选择以及稳定性问题,提出利用高稳定氧化物(如氧化铝、氧化钛)及与之相符的金属电极材料选择,及材料沉积工艺,发现在GaAs表面沉积纳米金属层(Ti,Al等)并通过随后的热处理过程可以消除GaAs原生表面氧化物的不利影响,可获得界面缺陷少的优良的MOS结构。他从热力学、界面缺陷反应等角度论述了新型MOS界面设计、界面结构演化和稳定性机理,是新型半导体器件的发展、半导体缺陷工程研究的重要里程碑。
最后,摩西.艾森伯格教授与吴宜勇教授课题组及大科学工程综合环境模拟与研究系统的全体老师、硕士、博士生进行了座谈。吴宜勇教授向客人介绍哈工大“空间环境地面模拟装置”大科学工程的科学目标、建设进度和国际合作需求。双方在新型微电子材料与器件的空间应用、缺陷表征与辐射防护等方面进行了深入的交流,课题组与Eizenberg教授商讨了针对新型电子器件的空间应用研究、电子器件的缺陷表征等方面合作可行性,并表示双方将利用大科学工程综合环境模拟与研究系统机器科学研究平台在联合培养学生、开展学术交流加强合作!

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