中科院金属所胡卫进研究员学术报告通知

2019-09-19 15:59

报告人:胡卫进,研究员,中国科学院金属研究所

报告时间:2019年9月21日下午3点15分

报告地点:材料学院220室

报告题目:基于铁电铁磁薄膜的新型信息存储器件

报告摘要:

铁电体具有自发铁电极化,可经由外电场调控。利用这一特性,铁电体在存储器和传感器中得到广泛应用。新兴的铁电存储器包括铁电二极管,隧道结,异质结构和铁电晶体管等,它们由电场驱动,具有较低的功耗和较高的数据存储密度。它们的实际应用依赖于它们与现代半导体工业过程的整合,因此研究半导体/铁电界面以及本征铁电半导体具有重要意义。在本报告中,我将介绍我们在该领域的一些工作,包括在BiFeO3铁电遂道结中实现巨大的隧道电阻开关比和光读取,在半导体/铁电异质结(BiFeO3 / Nb:SrTiO3)中实现室温庞大持续光电导,在多铁性隧道结(LCMO/BaTiO3/LCMO)中实现电压辅助的磁矩180度翻转,在In2Se3半导体材料中观察到层状二维铁电性、压电性以及二极管阻变效应。我们将探讨这些新奇界面现象背后的物理机制,以及它们在信息存储和光电探测等方面的可能应用。

报告人简介:

胡卫进博士2005年本科毕业于哈尔滨工业大学,2011获中国科学院金属研究所博士学位,期间于2008年获国家留学基金资助赴美国宾州州立大学做访问研究。2012-2017年,先后在新加坡南洋理工大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学从事博士后研究工作。2017年12月入职中国科学院金属研究所,任副研究员;2019年03月起任研究员。近年来,在Nature Communications、Advanced Functional Materials,、Nano letter、ACS Applied Materials & Interfaces、Scientific Reports等期刊发表论文39余篇,在npj 2D materials and application发表二维铁电综述一篇。论文他引1500余次,H因子20。主要研究兴趣包括低维铁电、铁磁、半导体薄膜及其异质结构的外延生长和制备,研究低维铁电材料界面丰富的磁、光、电耦合效应,探索它们在现代信息存储、驱动传感等领域的应用。于2017年获中科院百人计划支持,目前主持一项国家自然科学基金面上项目, 担任Nature communications, Advanced Materials, IEEE Transactions on Nanotechnology 等16种国际学术期刊审稿人。

近期代表性文章:

F. Xue, et al, Adv. Func. Mater. 1803738, (2018)

C. J. Cui, F. Xue, W. J. Hu*, L. J. Li*, npj 2D mater. & Appl., (2018)

W. J. Hu, et al., Adv. Func. Mater. 28, 1704337 (2018).

C. J. Cui,et al., Nano Lett. 18, 12531258 (2018).

W. J. Hu*, Z. H. Wang, W. L. Yu, & T. Wu*, Nat. Commun. 7, 10808 (2016).

W. J. Hu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces. 6, 19507-19063 (2014).

W. J. Hu, et al., Sci. Rep. 4, 4772, (2014).

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