中国科学院物理研究所葛琛副研究员讲学通知

2019-05-20 09:12

    受物理学院青年教师联合会邀请,中国科学院物理研究所葛琛副研究员近日来我校进行讲学活动,欢迎校内师生参加。

    题目:钙钛矿异质结及神经形态器件应用

    时间:2019年5月21日(周二)14:00

    地点:理学楼308

讲学内容:

    类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率将会明显优于传统架构计算机,随着人类社会数据量的急剧增加以及数据类型复杂程度的提高,开发符合神经形态计算特性的电子器件进而构建大规模人工神经网络,成为未来信息科技发展的一个重要方向。近期,我们在基于钙钛矿氧化物异质结的新型电解质调控突触晶体管取得一些进展。我们通过激光分子束外延技术制备高质量WO3外延薄膜,实现高性能神经突触晶体管器件[1, 2]。并系统研究极化离子液体调控其相变的物理机制:当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是静电场效应起作用,撤掉门电压沟道电导立刻恢复,可以模拟突触的短程记忆过程;当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是电化学效应起作用,伴随着H+WO3薄膜A位空隙的插入,对应着长程记忆过程。我们不仅可以利用极化离子液体调控H+还可以调控O2-在钙钛矿材料的注入与脱出,通过极化离子液体调控拓扑相转换材料在钙铁石和钙钛矿相之间的可逆转换,进而成功设计出综合性能优异的突触晶体管[3, 4]。上述研究结果为人工神经形态系统的构建提供了一类全新的材料与器件选择。

[1] Adv. Mater. 30, 1801548 (2018).

[2] J. Mater. Chem. C 5, 11694 (2017). Highlighting Research

[3] Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).

[4] Adv. Funct. Mater. 1902702 (2019). Accepted

 

主讲人简介:

    葛琛,中国科学院物理研究所副研究员,博士生导师,入选中国科学院青年创新促进会。一直从事激光分子束外延方法制备钙钛矿氧化物异质结构及新型器件研究,在ScienceAdv. Mater.Adv. Funct. MaterSmallPRBAPL等等期刊上发表SCI论文50余篇,引用近1000次。目前承担国家重点研发计划(课题负责人)、国家自然科学基金委、中国科学院等多个项目。长期担任Adv. Mater.Nat. Commun.Adv. Funct. Mater.Adv. Sci.等期刊审稿人。